
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Temel Parça No
- BCR133S
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Yayın Yılı
- 2011
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- Parça Durumu
- Obsolete
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 5mA 5V
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Power Max
- 250mW
- Frequency Transition
- 130MHz
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

