
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Element Configuration
- Dual
- Max Collector Current
- 100mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Polarity
- NPN
- Transition Frequency
- 130MHz
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Terminal Formu
- GULL WING
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Frequency Transition
- 130MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 5mA 5V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Number Of Elements
- 2
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Yayın Yılı
- 2004
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Terminal Sayısı
- 6
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Montaj
- Surface Mount
- Transistor Application
- SWITCHING
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Temel Parça No
- BCR133S
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Pin Sayısı
- 6
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

