
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yayın Yılı
- 2004
- Frequency Transition
- 130MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 5mA 5V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Number Of Elements
- 2
- Polaritychannel Type
- NPN
- Transition Frequency
- 130MHz
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Parça Durumu
- Obsolete
- Terminal Formu
- GULL WING
- Element Configuration
- Dual
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Max Collector Current
- 100mA
- Case Connection
- ISOLATED
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Temel Parça No
- BCR133S
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Application
- SWITCHING
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Pin Sayısı
- 6
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Montaj
- Surface Mount
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Terminal Sayısı
- 6
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Contact Plating
- Tin
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

