Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yayın Yılı
- 2007
- Number Of Elements
- 2
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 5mA 5V
- Frequency Transition
- 150MHz
- Terminal Formu
- GULL WING
- Parça Durumu
- Obsolete
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Element Material
- SILICON
- Polaritychannel Type
- NPN
- Transition Frequency
- 150MHz
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Max Collector Current
- 100mA
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power Max
- 250mW
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Temel Parça No
- BCR119S
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Application
- SWITCHING
- Montaj
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 6
- Resistor Base R1
- 4.7k Ω
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays