
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Number Of Elements
- 2
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 5mA 5V
- Frequency Transition
- 130MHz
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yayın Yılı
- 2011
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Max Collector Current
- 100mA
- Element Configuration
- Dual
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Terminal Formu
- GULL WING
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Transition Frequency
- 130MHz
- Polarity
- NPN, PNP
- Montaj
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Pin Sayısı
- 6
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Temel Parça No
- BCR10PN
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Application
- SWITCHING
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Sayısı
- 6
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Resistor Base R1
- 10k Ω
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

