Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Max Collector Current
- 100mA
- Element Configuration
- Dual
- Uzunluk
- 2mm
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- ECCN Kodu
- EAR99
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Terminal Formu
- GULL WING
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Transition Frequency
- 130MHz
- Polarity
- NPN, PNP
- Number Of Elements
- 2
- Frequency Transition
- 130MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 5mA 5V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Power Dissipation
- 250mW
- Hfemin
- 30
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Yayın Yılı
- 2011
- JESD-609 Kodu
- e3
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 6
- Halogen Free
- Halogen Free
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Genişlik
- 1.25mm
- Yükseklik
- 800μm
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Pin Sayısı
- 6
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 300mV
- Max Power Dissipation
- 250mW
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays