
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Pin Sayısı
- 6
- Terminal Sayısı
- 6
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Temel Parça No
- BCR08PN
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Montaj
- Surface Mount
- Element Configuration
- Dual
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Resistor Base R1
- 2.2k Ω
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Frequency Transition
- 170MHz
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Application
- SWITCHING
- Yayın Yılı
- 2007
- Transition Frequency
- 100MHz
- Max Collector Current
- 100mA
- Number Of Elements
- 2
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Terminal Formu
- GULL WING
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

