+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
BCR08PNB6327XT

Infineon Technologies

BCR08PNB6327XT

BJT Transistors Arrays

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Montaj Tipi
Surface Mount
Frequency Transition
170MHz
Power Max
250mW
Kılıf / Paket
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Polarity
NPN, PNP
Collectoremitter Breakdown Voltage
50V
Max Power Dissipation
250mW
Max Collector Current
100mA
Yayın Yılı
2011
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Tedarikçi Cihaz Paketi
PG-SOT363-6
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Resistor Emitter Base R2
47kOhms
Temel Parça No
BCR08PN
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
50V
Resistor Base R1
2.2kOhms
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
70 @ 5mA 5V
Montaj
Surface Mount
Collector Emitter Voltage Vceo
300mV
Currentcollector Ic Max
100mA
Pin Sayısı
6
Vce Saturation Max Ib Ic
300mV @ 500μA, 10mA
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Parça Durumu
Discontinued

İlgili Ürünler

  • Panjit

    2SC164S_R1_00001

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114EUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114YUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX114YUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX115EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX115EUQ-7R

    BJT Transistors Arrays
  • Diodes Incorporated

    ACX124EUQ-13R

    BJT Transistors Arrays
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek