Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Element Material
- SILICON
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Terminal Sayısı
- 6
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Polaritychannel Type
- NPN
- Transition Frequency
- 250MHz
- Parça Durumu
- Obsolete
- Montaj
- Surface Mount
- Number Of Elements
- 2
- Frequency Transition
- 250MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 200 @ 2mA 5V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 650mV
- Yayın Yılı
- 2011
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Formu
- GULL WING
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 65V
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Current Collector Cutoff Max
- 15nA ICBO
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Power Max
- 250mW
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Max Collector Current
- 100mA
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 650mV @ 5mA, 100mA
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors