BC858CE6327HTSA1

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Max Collector Current

100mA

Voltage Rated Dc

-30V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Polaritychannel Type

PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

Yayın Yılı

2004

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Contact Plating

Tin

Max Breakdown Voltage

30V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Max Power Dissipation

330mW

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SINGLE

Radyasyon Dayanımı

No

Montaj

Surface Mount

Parça Durumu

Not For New Designs

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

25 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Transition Frequency

250MHz

Akım Değeri

-100mA

Terminal Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Transistor Type

PNP

Temel Parça No

BC858

Frekans

250MHz