BC857CE6433HTMA1

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Temel Parça No

BC857

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Max Collector Current

100mA

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Configuration

SINGLE

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation

330mW

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Max Power Dissipation

330mW

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Contact Plating

Tin

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Parça Durumu

Not For New Designs

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Transistor Type

PNP

Qualification Status

Not Qualified

Montaj

Surface Mount

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Currentcollector Ic Max

100mA

Polaritychannel Type

PNP

Transition Frequency

250MHz

Frekans

250MHz

Voltage Rated Dc

-45V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Akım Değeri

-100mA

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2008