BC847PNH6327XTSA1

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Polarity

NPN, PNP

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yükseklik

800μm

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Terminal Formu

GULL WING

Yayın Yılı

2007

Uzunluk

2mm

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Frekans

250MHz

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kurşunsuz

Lead Free

Halogen Free

Halogen Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

250mW

Transistor Element Material

SILICON

Montaj

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Genişlik

1.25mm

Kılıf / Paket

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Terminal Sayısı

6

Max Power Dissipation

250mW

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Hfemin

200

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Collector Current

100mA

Transition Frequency

250MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Type

NPN, PNP

Collectoremitter Saturation Voltage

650mV

Temel Parça No

BC847PN

Transistor Application

AMPLIFIER

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2