BC846UPNE6327HTSA1

Teknik Özellikler

Power Dissipation

250mW

Transistor Element Material

SILICON

Halogen Free

Not Halogen Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Genişlik

1.6mm

Contact Plating

Tin

Voltage Rated Dc

65V

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Montaj

Surface Mount

Yükseklik

1mm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Formu

GULL WING

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Uzunluk

2.9mm

Yayın Yılı

2011

Frekans

250MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Polarity

NPN, PNP

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Last Time Buy

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

AMPLIFIER

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Reference Standard

AEC-Q101

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Max Power Dissipation

250mW

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Hfemin

200

Terminal Sayısı

6

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Akım Değeri

100mA

Transistor Type

NPN, PNP