BC817UPNE6327HTSA1

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Halogen Free

Not Halogen Free

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

330mW

Montaj

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Voltage Rated Dc

45V

Genişlik

1.6mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

700mV

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Polarity

NPN, PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

160 @ 100mA 1V

Frekans

170MHz

Yayın Yılı

2011

Uzunluk

2.9mm

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Terminal Formu

GULL WING

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yükseklik

1mm

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Transistor Application

AMPLIFIER

JESD-609 Kodu

e3

Parça Durumu

Last Time Buy

Max Breakdown Voltage

45V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Akım Değeri

500mA

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Terminal Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Max Power Dissipation

330mW

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Collector Current

500mA