BAS7004E6327HTSA1

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Surge Current

100mA

Genişlik

1.3mm

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

Contact Plating

Tin

Voltage Forward Vf Max If

1V @ 15mA

Yayın Yılı

2006

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Temel Parça No

BAS70-04

Reverse Recovery Time

100 ps

Kapasitans

1.5pF

Max Reverse Voltage Dc

410mV

Current Average Rectified Io

70mA DC

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

70V

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Reverse Leakage Vr

100nA @ 50V

Element Configuration

Dual

Average Rectified Current

70mA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Terminal

SMD/SMT

Reverse Voltage

70V

Yükseklik

1.1mm

Forward Current

70mA

Peak Reverse Current

100nA

Forward Voltage

700mV

Reach Svhc

No SVHC

Max Junction Temperature Tj

150°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Reference Standard

AEC-Q101

Diode Element Material

SILICON

Uzunluk

2.9mm

Power Dissipation Max

0.25W

Max Forward Surge Current Ifsm

100mA

JESD-609 Kodu

e3

Diode Type

Schottky

Akım

1A