2ED2108S06FXUMA1

Teknik Özellikler

Gate Type

IGBT, N-Channel MOSFET

High Side Voltage Max Bootstrap

650V

Rise Fall Time Typ

100ns 35ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Fabrika Tedarik Süresi

24 Weeks

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Besleme Gerilimi

10V~20V

Driver Configuration

Half-Bridge

Parça Durumu

Active

Logic Voltagevil Vih

1.1V 1.7V

Current Peak Output Source Sink

290mA 700mA

Number Of Drivers

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Giriş Tipi

Non-Inverting

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Channel Type

Synchronous

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~125°C TA