+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

Infineon

BFP540FE6327XT

RF BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Minimum Dc Current Gain
50@20mA@3.5V
Maximum Emitter Base Voltage V
1
Maximum Dc Collector Current A
0.08
Maximum Operating Temperature C
150
Minimum Operating Temperature C
-65
Maximum Power Dissipation Mw
250
Eu Rohs
Compliant
Maximum Collectoremitter Voltage Range V
&l;20
Maximum Collector Base Voltage V
14
Configuration
Single Dual Emitter
Maximum Dc Collector Current Range A
0.06 to 0.12
Minimum Dc Current Gain Range
50 to 120
Material
Si
Tip
NPN
Ambalaj
Tape and Reel
Number Of Elements Per Chip
1
Maximum Collectoremitter Voltage V
4.5
Maximum Transition Frequency Mhz
30000(Typ)
Parça Durumu
Obsolete
Eccn Us
EAR99

İlgili Ürünler

  • Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek