+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

Infineon

BC859-C

RF BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Power Max Ptot
330mW
Paket
Retail Package
Çalışma Sıcaklığı
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Max
250 mW
Transistor Type
PNP
Enclosure
SOT 23-3
Content
1pc(s)
Tip
PNP
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
30 V
Ürün Durumu
Active
Kılıf / Paket
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Currentcollector Ic Max
100 mA
Collector Current
-100mA
Manuf Code
INF
Frequency Transition
100MHz
Channels
1
Seri
*
Packaging Type
Tape cut
Current Collector Cutoff Max
15nA (ICBO)
Tedarikçi Cihaz Paketi
SOT-23-3 (TO-236)
Vce Saturation Max Ib Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Montaj Tipi
Surface Mount
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
420 @ 2mA, 5V

İlgili Ürünler

  • Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek