
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Sensing Method
- Through-Beam
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 30V
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Tip
- Unamplified
- Reverse Breakdown Voltage
- 3V
- Output Configuration
- Phototransistor
- Algılama Mesafesi
- 0.200 (5.08mm)
- Pin Sayısı
- 4
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 30V
- Housing Material
- Polycarbonate
- Parça Durumu
- Obsolete
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -40°C
- Output Voltage
- 30V
- Forward Voltage
- 1.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C
- Rise Time
- 15μs
- Power Dissipation
- 100mW
- Current Dc Forward If Max
- 50mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 30V
- Yayın Yılı
- 1997
- Montaj
- Through Hole
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Dark Current
- 100nA
- Number Of Elements
- 1
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fall Time Typ
- 15 μs
- Response Time
- 15μs
- Ambalaj
- Bulk
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 85°C
- Kılıf / Paket
- Module, Slotted
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 400mV
- Fabrika Tedarik Süresi
- 14 Weeks
- Input Current
- 20mA
- Forward Current
- 50mA
İlgili Ürünler
AMI Semiconductor
H22B2
Transistor Optical Sensors
American Bright Optoelectronics Corporation
BPI-3C1-07
Transistor Optical Sensors
American Bright Optoelectronics Corporation
BPI-3C1-10
Transistor Optical Sensors
American Bright Optoelectronics Corporation
BPI-3C1-27
Transistor Optical Sensors
BI Technologies
OPB380L51
Transistor Optical Sensors
Banner Engineering
SL10VB6V W/30
Transistor Optical Sensors
Banner Engineering
SL30VB6V W/30
Transistor Optical Sensors
Banner Engineering
SL30VB6VY W/30
Transistor Optical Sensors

