HOA1882-011

Teknik Özellikler

Sensing Method

Through-Beam

Number Of Channels

1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Montaj Tipi

Through Hole

Reverse Breakdown Voltage

3V

Max Power Dissipation

100mW

Algılama Mesafesi

0.200 (5.08mm)

Output Configuration

Phototransistor

Pin Sayısı

4

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Housing Material

Polysulfone

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Parça Durumu

Obsolete

Çıkış Tipi

Phototransistor

Power Dissipation

100mW

Rise Time

15μs

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Forward Voltage

1.6V

Current Dc Forward If Max

20mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Montaj

Through Hole

Yayın Yılı

1997

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Dark Current

100nA

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fall Time Typ

15 μs

Response Time

15μs

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Kılıf / Paket

PCB Mount

Currentcollector Ic Max

1.8mA

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Forward Current

50mA