HOA0890-P51

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

1997

Tip

Unamplified

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Ambalaj

Bulk

Fall Time Typ

15 μs

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Forward Current

50mA

Power Dissipation

100mW

Forward Voltage

1.6V

Output Configuration

Transistor

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Parça Durumu

Obsolete

Response Time

15μs

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Housing Material

Polysulfone

Current Dc Forward If Max

50mA

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Reverse Breakdown Voltage

3V

Number Of Elements

1

Sensing Method

Through-Beam

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Currentcollector Ic Max

30mA

Montaj

Chassis Mount, Screw, Wire

Montaj Tipi

Chassis Mount, Wire Lead

Pin Sayısı

4

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Dark Current

100nA

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Max Collector Current

30mA

Rise Time

15μs