HOA0880-T51

Teknik Özellikler

Sensing Method

Through-Beam

Current Dc Forward If Max

50mA

Kılıf / Paket

Module, Pre-Wired

Housing Material

Polysulfone

Number Of Elements

1

Reverse Breakdown Voltage

3V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Touchscreen

Infrared (IR)

Forward Voltage

1.6V

Output Configuration

Transistor

Parça Durumu

Obsolete

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Response Time

15μs

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Output Voltage

30V

Tip

Unamplified

Yayın Yılı

1997

Power Dissipation

100mW

Forward Current

50mA

Çıkış Tipi

Phototransistor

Fall Time Typ

15 μs

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

30mA

Rise Time

15μs

Reach Svhc

No SVHC

Number Of Channels

1

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Terminal

Lead Wire

Input Current

20mA

Pin Sayısı

4

Uzunluk

24.89mm

Max Power Dissipation

100mW

Genişlik

6.6mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Dark Current

100nA