HOA0870-N51

Teknik Özellikler

Input Current

20mA

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Number Of Channels

1

Rise Time

15μs

Radyasyon Dayanımı

No

Max Collector Current

30mA

Montaj

Through Hole

Currentcollector Ic Max

30mA

Yükseklik

11.05mm

Montaj Tipi

Through Hole

Reverse Voltage Dc

3V

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Dark Current

100nA

Genişlik

6.6mm

Pin Sayısı

4

Uzunluk

12.57mm

Max Power Dissipation

100mW

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Number Of Elements

1

Reverse Breakdown Voltage

3V

Current Dc Forward If Max

50mA

Kılıf / Paket

PCB Mount

Sensing Method

Through-Beam

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Ambalaj

Bulk

Fall Time Typ

15 μs

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation

100mW

Forward Current

50mA

Çıkış Tipi

Phototransistor

Yayın Yılı

1997

Output Voltage

30V

Tip

Unamplified

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Parça Durumu

Obsolete

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C