HOA0866-N55

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

1997

Tip

Unamplified

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fall Time Typ

15 μs

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.125 (3.18mm)

Power Dissipation

100mW

Forward Current

50mA

Forward Voltage

1.6V

Output Configuration

Transistor

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Response Time

15μs

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Parça Durumu

Obsolete

Kılıf / Paket

PCB Mount

Current Dc Forward If Max

50mA

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Reverse Breakdown Voltage

3V

Number Of Elements

1

Sensing Method

Through-Beam

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Montaj

Through Hole

Currentcollector Ic Max

30mA

Montaj Tipi

Through Hole

Pin Sayısı

4

Dark Current

100nA

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Max Collector Current

30mA

Radyasyon Dayanımı

No

Rise Time

15μs