Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Tip
- Silicon Avalanche Photodiode
- Half Intensity Angle Degrees
- 64 deg
- Uzunluk
- 5.4 mm
- Pd Power Dissipation
- 100 mW
- Kılıf / Paket
- TO-52-S1
- Part Aliases
- 3004624 / 500947 / 06-017
- Vr Reverse Voltage
- 100 V
- Genişlik
- 5.4 mm
- Ambalaj
- Bulk
- Seri
- APD Series 8
- Rise Time
- 0.28 ns
- Yükseklik
- 5.2 mm
- Peak Wavelength
- 410 nm
- Noise Equivalent Power Nep
- 1E-14 W/sqrt Hz
- Montaj Stili
- Through Hole
- Responsivity
- 25 A/W
- RoHS
- Details
- Photocurrent
- 2 uA
- Fabrika Paket Adedi
- 10
- Ürün Tipi
- Photodiodes
- Dark Current
- 1 nA
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 85 C
İlgili Ürünler
Advanced Photonix
0003-3111-011
Photodiodes
Advanced Photonix
0003-3111-111
Photodiodes
Advanced Photonix
0008-3111-011
Photodiodes
Advanced Photonix
0008-3111-111
Photodiodes
Advanced Photonix
002-151-001
Photodiodes
Advanced Photonix
003-151-001
Photodiodes
Advanced Photonix
004-11-41-211
Photodiodes
Advanced Photonix
0050-3111-011
Photodiodes

