Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Hfemin
- 28
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Drain To Source Voltage Vdss
- 30V
- Transistor Type
- NPN
- Power Dissipation
- 400mW
- Element Configuration
- Single
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-92-3
- Temel Ürün No
- SS9018
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Pin Sayısı
- 3
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C (TJ)
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Number Of Elements
- 1
- Ambalaj
- Bulk
- Max Collector Current
- 50mA
- Currentcollector Ic Max
- 50mA
- Frequency Transition
- 1.1GHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 72 @ 1mA, 5V
- Voltage Rated Dc
- 30V
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Max Power Dissipation
- 400mW
- Power Max
- 400mW
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 15V
- Frekans
- 1.1GHz
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- ECCN Kodu
- EAR99
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5V
- Paket
- Bulk
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Yayın Yılı
- 2002
- Parça Durumu
- Obsolete
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 15V
- Weight
- 179mg
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Transition Frequency
- 1100MHz
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 15V
- Lifecycle Status
- LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors