EL817(B)-G

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Ambalaj

Tube

Current Dc Forward If Max

60mA

Collectoremitter Saturation Voltage

200mV

Rise Fall Time Typ

6μs 8μs

Montaj Tipi

Through Hole

Max Power Dissipation

200mW

Yayın Yılı

2013

Configuration

SINGLE

Output Current Per Channel

50mA

Number Of Elements

1

Voltage Forward Vf Typ

1.2V

Current Transfer Ratiomin

130% @ 5mA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~110°C

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

4

Kılıf / Paket

4-DIP (0.300, 7.62mm)

Voltage Isolation

5000Vrms

Montaj

Through Hole

Collector Emitter Voltage Vceo

200mV

Çıkış Tipi

Transistor

Kurşunsuz Kodu

yes

Giriş Tipi

DC

Number Of Channels

1

Forward Currentmax

0.06A

Additional Feature

UL RECOGNIZED

Current Transfer Ratio Max

260% @ 5mA

Collemtr Bkdn Voltagemin

80V

Max Collector Current

50mA

Parça Durumu

Active

Output Voltage

35V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Input Current

60mA