Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 30 V
- Wavelength
- 940 nm
- RoHS
- Details
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 30 V
- Rise Time
- 15 us
- Fabrika Paket Adedi
- 1000
- Tip
- Phototransistor
- Dark Current
- 100 nA
- Pd Power Dissipation
- 75 mW
- Moisture Sensitive
- Yes
- Maximum Onstate Collector Current
- 0.3 mA
- Fall Time
- 15 us
- Minimum Operating Temperature
- - 25 C
- Operating Supply Voltage
- 400 mV
- Ambalaj
- Reel
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 0.4 V
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 85 C
İlgili Ürünler
ABB Semiconductors
ENI21
Phototransistors
AMI Semiconductor
L14G3
Phototransistors
AMI Semiconductor
QSD124
Phototransistors
AVAGO
ASDL6270-D31
Phototransistors
Adafruit Industries LLC
2831
Phototransistors
Allegro MicroSystems LLC
A1333LLPTR-5-DD-T
Phototransistors
American Bright Optoelectronics Corporation
BPC-817 ( B BIN )
Phototransistors
American Bright Optoelectronics Corporation
BPC-817S ( C BIN )
Phototransistors