Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Grade
- Automotive
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50 V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Power Max
- 200 mW
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Resistor Emitter Base R2
- 4.7 kOhms
- Qualification
- AEC-Q101
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 10mA, 5V
- Ambalaj
- Bulk
- Resistor Base R1
- 4.7 kOhms
- Frequency Transition
- 200 MHz
- Parça Durumu
- Active
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Currentcollector Ic Max
- 100 mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-23-3 (TO-236)
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R2_00001
Pre-Biased BJT Transistors
Aptina
2SC3402-AC
Pre-Biased BJT Transistors
Renesas Electronics America Inc
2SD1697-AZ
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.00
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.01
Pre-Biased BJT Transistors
Nexperia
934055050115
Pre-Biased BJT Transistors
WEIDMÜLLER
9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX
Pre-Biased BJT Transistors
Diodes Incorporated
ADA123JUQ-7
Pre-Biased BJT Transistors