Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY
- Terminal Formu
- NO LEAD
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Power Max
- 510mW
- JESD-609 Kodu
- e3
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 450mV @ 200mA, 2A
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Application
- SWITCHING
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N6
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Kılıf / Paket
- 6-UDFN Exposed Pad
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 60V
- Terminal Sayısı
- 6
- Currentcollector Ic Max
- 2A
- Parça Durumu
- Active
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Case Connection
- COLLECTOR
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Yüzey Montaj
- YES
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Polaritychannel Type
- PNP
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 170 @ 100mA 2V
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Transistor Element Material
- SILICON
- Number Of Elements
- 2
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors