ZXTDE4M832TA

Teknik Özellikler

Number Of Elements

2

Currentcollector Ic Max

3.5A 2.5A

Frequency Transition

160MHz 180MHz

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Yükseklik

1mm

Temel Parça No

ZXTDE4M832

Terminal Pozisyonu

QUAD

Genişlik

2mm

Kılıf / Paket

8-VDFN Exposed Pad

Max Breakdown Voltage

70V

Pin Sayısı

10

Max Collector Current

2.5A

Transition Frequency

160MHz

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

1W

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

300 @ 200mA 2V / 40 @ 1.5A 5V

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Application

SWITCHING

Hfemin

200

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Akım Değeri

3.5A

Jesd30 Code

R-PQFP-F10

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Type

NPN, PNP

Montaj

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A

Terminal Formu

FLAT

Collectoremitter Breakdown Voltage

70V

Uzunluk

3mm

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

80V 70V

Montaj Tipi

Surface Mount

Emitter Base Voltage Vebo

7.5V

Pin Sayısı

832

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Element Configuration

Dual

Case Connection

COLLECTOR

Current Collector Cutoff Max

25nA

Polarity

NPN, PNP