
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pin Sayısı
- 832
- Emitter Base Voltage Vebo
- 7.5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Element Material
- SILICON
- Current Collector Cutoff Max
- 25nA
- Case Connection
- COLLECTOR
- Element Configuration
- Dual
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 240mV
- Yayın Yılı
- 2006
- Continuous Collector Current
- 4.5A
- Kurşunsuz
- Lead Free
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Gain Bandwidth Product
- 120MHz
- Polarity
- NPN
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Obsolete
- Collector Base Voltage Vcbo
- 40V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 10
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 280mV
- Temel Parça No
- ZXTDAM832
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Yükseklik
- 1mm
- Number Of Elements
- 2
- JESD-609 Kodu
- e3
- Transition Frequency
- 120MHz
- Max Collector Current
- 4.5A
- Pin Sayısı
- 10
- Max Breakdown Voltage
- 15V
- Kılıf / Paket
- 8-VDFN Exposed Pad
- Genişlik
- 2mm
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Akım Değeri
- 4.5A
- ECCN Kodu
- EAR99
- Transistor Application
- SWITCHING
- Qualification Status
- Not Qualified
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 200 @ 3A 2V
- Max Power Dissipation
- 1.7W
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

