
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yayın Yılı
- 2011
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- ECCN Kodu
- EAR99
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Application
- SWITCHING
- Polarity
- PNP
- Gain Bandwidth Product
- 180MHz
- Frekans
- 180MHz
- Max Power Dissipation
- 2.45W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 100mA 2V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Power Max
- 1.7W
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 350mA, 3.5A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 20V
- Parça Durumu
- Active
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 8
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 20V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Collector Base Voltage Vcbo
- 25V
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Pin Sayısı
- 8
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Emitter Base Voltage Vebo
- -7V
- Frequency Transition
- 150MHz
- Number Of Elements
- 2
- Transistor Element Material
- SILICON
- JESD-609 Kodu
- e4
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA
- Pin Sayısı
- 8
- Max Collector Current
- 3.5A
- Transition Frequency
- 180MHz
- Max Breakdown Voltage
- 20V
- Kılıf / Paket
- 8-VDFN Exposed Pad
- Element Configuration
- Dual
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

