ZXTD619MCTA

Teknik Özellikler

Frekans

165MHz

Max Power Dissipation

2.45W

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

300 @ 200mA 2V

Polarity

NPN

Gain Bandwidth Product

165MHz

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2011

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Terminal Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Active

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Montaj

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

320mV @ 200mA, 4A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Power Max

1.7W

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Frequency Transition

100MHz

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Montaj Tipi

Surface Mount

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Pin Sayısı

8

Reach Svhc

No SVHC

Collectoremitter Saturation Voltage

270mV

Kılıf / Paket

8-VDFN Exposed Pad

Max Breakdown Voltage

50V

Element Configuration

Dual

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Power Dissipation

2.45W