ZXTD2M832TA

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

832

Emitter Base Voltage Vebo

7.5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipation

3W

Element Configuration

Dual

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Collectoremitter Saturation Voltage

-240mV

Current Collector Cutoff Max

25nA

Case Connection

COLLECTOR

Gain Bandwidth Product

180MHz

Polarity

PNP

Yayın Yılı

2006

Continuous Collector Current

-3.5A

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Parça Durumu

Obsolete

Collector Base Voltage Vcbo

-25V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

10

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Power Max

1.7W

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

2

Temel Parça No

ZXTD2M832

Yükseklik

1mm

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Breakdown Voltage

20V

Kılıf / Paket

8-VDFN Exposed Pad

Genişlik

2mm

Terminal Pozisyonu

QUAD

JESD-609 Kodu

e3

Transition Frequency

180MHz

Max Collector Current

3.5A

Pin Sayısı

10

Qualification Status

Not Qualified

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

150 @ 2A 2V

Max Power Dissipation

1.7W

Frekans

180MHz