
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Element Material
- SILICON
- Emitter Base Voltage Vebo
- 7V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Pin Sayısı
- 6
- Power Dissipation
- 1.7W
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Element Configuration
- Dual
- Current Collector Cutoff Max
- 50nA ICBO
- Gain Bandwidth Product
- 290MHz
- Polarity
- NPN, PNP
- Kurşunsuz
- Lead Free
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Yayın Yılı
- 2006
- Collector Base Voltage Vcbo
- 100V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 6
- Weight
- 7.994566mg
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 20V
- Parça Durumu
- Active
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Power Max
- 1.1W
- Number Of Elements
- 2
- Frequency Transition
- 215MHz 290MHz
- Currentcollector Ic Max
- 4A 3.5A
- Yükseklik
- 1.3mm
- Temel Parça No
- Z2062
- Kılıf / Paket
- SOT-23-6
- Max Breakdown Voltage
- 20V
- Genişlik
- 1.8mm
- Transition Frequency
- 215MHz
- Max Collector Current
- 3.5A
- Pin Sayısı
- 6
- JESD-609 Kodu
- e3
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 280 @ 1A 2V / 170 @ 1A 2V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Max Power Dissipation
- 1.7W
- Frekans
- 215MHz
- Transistor Application
- SWITCHING
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

