
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Element Material
- SILICON
- Pin Sayısı
- 6
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Emitter Base Voltage Vebo
- 7V
- Element Configuration
- Dual
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Power Dissipation
- 1.7W
- Current Collector Cutoff Max
- 50nA ICBO
- Polarity
- NPN, PNP
- Gain Bandwidth Product
- 310MHz
- Yayın Yılı
- 2007
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Sayısı
- 6
- Weight
- 7.994566mg
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 12V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Collector Base Voltage Vcbo
- 20V
- Power Max
- 1.1W
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Currentcollector Ic Max
- 5A 3.5A
- Number Of Elements
- 2
- Temel Parça No
- Z2061
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Yükseklik
- 1.3mm
- Genişlik
- 1.8mm
- Max Breakdown Voltage
- 12V
- Kılıf / Paket
- SOT-23-6
- JESD-609 Kodu
- e3
- Pin Sayısı
- 6
- Max Collector Current
- 3.5A
- Transition Frequency
- 260MHz
- Frekans
- 260MHz
- Max Power Dissipation
- 1.7W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 480 @ 1A 2V / 290 @ 1A 2V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- ECCN Kodu
- EAR99
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

