
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Transition Frequency
- 130MHz
- Max Collector Current
- 2A
- Pin Sayısı
- 8
- Max Breakdown Voltage
- 40V
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
- Genişlik
- 3.1mm
- Temel Parça No
- ZXT12P40D
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Yükseklik
- 950μm
- Number Of Elements
- 2
- Uzunluk
- 3.1mm
- Voltage Rated Dc
- -40V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 40V
- Terminal Formu
- GULL WING
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 260mV @ 100mA, 2A
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Montaj
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Akım Değeri
- -2A
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- ECCN Kodu
- EAR99
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- Transistor Application
- SWITCHING
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 1A 2V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Max Power Dissipation
- 1.25W
- Frekans
- 130MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA
- Power Dissipation
- 1.25W
- Element Configuration
- Dual
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Collectoremitter Saturation Voltage
- -150mV
- Pin Sayısı
- 8
- Emitter Base Voltage Vebo
- 7.5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Element Material
- SILICON
- Power Max
- 1.04W
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Active
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

