
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Power Max
- 1.04W
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 8
- Weight
- 139.989945mg
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 200mV
- Collector Base Voltage Vcbo
- -25V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Continuous Collector Current
- -2.5A
- Gain Bandwidth Product
- 110MHz
- Polarity
- PNP
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA
- Collectoremitter Saturation Voltage
- -160mV
- Element Configuration
- Dual
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Emitter Base Voltage Vebo
- 7.5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Formu
- GULL WING
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 200mV @ 125mA, 2.5A
- Voltage Rated Dc
- -20V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 20V
- Uzunluk
- 3.1mm
- Jesd30 Code
- S-PDSO-G8
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Montaj
- Surface Mount
- Transistor Application
- SWITCHING
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- ECCN Kodu
- EAR99
- Akım Değeri
- -2.5A
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 1A 2V
- Max Power Dissipation
- 1.04W
- Qualification Status
- Not Qualified
- Max Collector Current
- 2.5A
- Pin Sayısı
- 8
- Transition Frequency
- 110MHz
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

