
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 50mA, 3A
- Terminal Formu
- GULL WING
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Uzunluk
- 3.1mm
- Weight
- 139.989945mg
- Terminal Sayısı
- 8
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Collector Base Voltage Vcbo
- 100V
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Parça Durumu
- Active
- Montaj
- Surface Mount
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Transistor Application
- SWITCHING
- Continuous Collector Current
- 3A
- Yayın Yılı
- 2006
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Akım Değeri
- 3A
- Max Power Dissipation
- 1.04W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 1A 2V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Polarity
- NPN
- Gain Bandwidth Product
- 132MHz
- Pin Sayısı
- 8
- Max Collector Current
- 3A
- Transition Frequency
- 132MHz
- JESD-609 Kodu
- e3
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 135mV
- Genişlik
- 3.1mm
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
- Element Configuration
- Dual
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

