ZXT12N50DXTA

Teknik Özellikler

Number Of Elements

2

Temel Parça No

ZXT12N50D

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Yükseklik

950μm

Genişlik

3.1mm

Kılıf / Paket

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

Max Breakdown Voltage

50V

JESD-609 Kodu

e3

Transition Frequency

132MHz

Pin Sayısı

8

Max Collector Current

3A

Max Power Dissipation

1.25W

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

300 @ 1A 2V

Radyasyon Dayanımı

No

Frekans

132MHz

Akım Değeri

3A

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Uzunluk

3.1mm

Voltage Rated Dc

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 50mA, 3A

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

8

Montaj Tipi

Surface Mount

Emitter Base Voltage Vebo

7.5V

Element Configuration

Dual

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Power Dissipation

1.25W

Collectoremitter Saturation Voltage

135mV

Current Collector Cutoff Max

100nA

Polarity

NPN

Gain Bandwidth Product

132MHz

Continuous Collector Current

3A