ZXMN6A25DN8TA

Teknik Özellikler

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Turn On Delay Time

3.8 ns

Number Of Elements

2

Yükseklik

1.5mm

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Genişlik

4mm

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Fall Time Typ

10.6 ns

Reach Svhc

No SVHC

Number Of Channels

2

Rds On Max Id Vgs

50m Ω @ 3.6A, 10V

JESD-609 Kodu

e3

Turn Off Delay Time

26.2 ns

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

20.4nC @ 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Max Power Dissipation

2.1W

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Akım Değeri

4.7A

Current Continuous Drain Id25

3.8A

Transistor Application

SWITCHING

Montaj

Surface Mount

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Continuous Drain Current Id

5A

Uzunluk

5mm

Rise Time

4ns

Terminal Formu

GULL WING

Voltage Rated Dc

60V

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

8

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Power Dissipation

2.1W

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1063pF @ 30V

Vgsth Max Id

1V @ 250μA (Min)