ZXMN6A11DN8TA

Teknik Özellikler

Power Max

1.8W

Fet Feature

Logic Level Gate

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Direnç

120mOhm

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

8

Weight

73.992255mg

Vgsth Max Id

1V @ 250μA (Min)

Yayın Yılı

2006

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Input Capacitance Ciss Max Vds

330pF @ 40V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Power Dissipation

2.1W

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Pin Sayısı

8

Threshold Voltage

1V

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Element Material

SILICON

Rise Time

3.5ns

Uzunluk

5mm

Continuous Drain Current Id

3.2A

Voltage Rated Dc

60V

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Akım Değeri

2.7A

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

2.5A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate Charge Qg Max Vgs

5.7nC @ 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

2.1W