ZXMN3F31DN8TA

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

12.9nC @ 10V

Pin Sayısı

8

Number Of Elements

2

Element Configuration

Dual

Terminal Sayısı

8

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

5mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

608pF @ 15V

Yükseklik

1.5mm

Genişlik

4mm

Kurşunsuz

Lead Free

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Number Of Channels

2

Pin Sayısı

8

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

Turn Off Delay Time

16 ns

Direnç

24mOhm

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Turn On Delay Time

2.9 ns

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Rise Time

3.3ns

Weight

73.992255mg

Current Continuous Drain Id25

5.7A

Fall Time Typ

8 ns

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

1.8W

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

JESD-609 Kodu

e3

Fet Feature

Logic Level Gate