ZXMD63C03XTA

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

DUAL

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

1.04W

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Kılıf / Paket

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

Fet Type

N and P-Channel

Rise Time

4.8ns

Weight

139.989945mg

Parça Durumu

Obsolete

Turn On Delay Time

2.6 ns

Fall Time Typ

4.8 ns

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yayın Yılı

2007

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Rds On Max Id Vgs

135m Ω @ 1.7A, 10V

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Additional Feature

LOW THRESHOLD

Continuous Drain Current Id

-2A

Power Dissipation

1.25W

Fet Feature

Logic Level Gate

Yükseklik

950μm

Input Capacitance Ciss Max Vds

290pF @ 25V

Genişlik

3.1mm

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

8

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

3.1mm

Vgsth Max Id

1V @ 250μA (Min)

Gate Charge Qg Max Vgs

8nC @ 10V

Pin Sayısı

8

Number Of Elements

2