ZXMC4559DN8TA

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

20.4nC @ 10V

Pin Sayısı

8

Number Of Elements

2

Element Configuration

Dual

Power Max

1.25W

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Input Capacitance Ciss Max Vds

1063pF @ 30V

Yükseklik

1.5mm

Genişlik

4mm

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

8

Uzunluk

5mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Vgsth Max Id

1V @ 250μA (Min)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

8

Terminal

SMD/SMT

Number Of Channels

2

Montaj

Surface Mount

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz Kodu

yes

Direnç

105mOhm

Turn Off Delay Time

35 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Rise Time

4.1ns

Weight

73.992255mg

Current Continuous Drain Id25

3.6A 2.6A

Turn On Delay Time

3.5 ns

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

10 ns

Dual Supply Voltage

60V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Application

SWITCHING

Max Power Dissipation

2.1W

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)