ZTD09N50DE6QTA

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

6

Current Collector Cutoff Max

10nA

Transition Frequency

215MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Frequency Transition

215MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Montaj

Surface Mount

Polaritychannel Type

NPN

Vce Saturation Max Ib Ic

270mV @ 50mA, 1A

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Terminal Formu

GULL WING

Kılıf / Paket

SOT-23-6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Reference Standard

AEC-Q101

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 500mA 2V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Collector Current

1A

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

JESD-609 Kodu

e3

Power Max

1.1W

Parça Durumu

Active

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2011

Max Power Dissipation

1.1W

Collector Emitter Voltage Vceo

270mV

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Kurşunsuz Kodu

yes

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

2