
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Temel Parça No
- ZDT617
- Gain Bandwidth Product
- 120MHz
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Transistor Application
- SWITCHING
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Max Power Dissipation
- 2.5W
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Max Collector Current
- 3A
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 200mA 2V
- Terminal Sayısı
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Montaj
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yayın Yılı
- 1997
- Transistor Element Material
- SILICON
- ECCN Kodu
- EAR99
- Max Breakdown Voltage
- 15V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 200mV @ 50mA, 3A
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Voltage Rated Dc
- 15V
- Polarity
- NPN
- Kılıf / Paket
- 8-SMD, Gull Wing
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Transition Frequency
- 120MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA
- Parça Durumu
- Obsolete
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- Pin Sayısı
- 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Pin Sayısı
- 8
- Continuous Collector Current
- 3A
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 200mV
- Number Of Elements
- 2
- Akım Değeri
- 3A
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 15V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Emitter Base Voltage Vebo
- 10V
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

