
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 1mA, 1A
- Max Breakdown Voltage
- 120V
- ECCN Kodu
- EAR99
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 1A 5V
- Configuration
- 2 BANKS, DARLINGTON
- Max Collector Current
- 1A
- Max Power Dissipation
- 2.75W
- Transistor Application
- SWITCHING
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Transistor Type
- 2 NPN Darlington (Dual)
- Temel Parça No
- ZDT605
- Transistor Element Material
- SILICON
- Yayın Yılı
- 1997
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Power Dissipation
- 2.75W
- Terminal Sayısı
- 8
- Akım Değeri
- 1A
- Number Of Elements
- 2
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Pin Sayısı
- 8
- Continuous Collector Current
- 1A
- Collector Base Voltage Vcbo
- 140V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Emitter Base Voltage Vebo
- 10V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 120V
- Parça Durumu
- Obsolete
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Transition Frequency
- 150MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA
- Hfemin
- 2000
- Kılıf / Paket
- 8-SMD, Gull Wing
- Voltage Rated Dc
- 120V
- Polarity
- NPN
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

