
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 1A 2V
- Max Collector Current
- 5A
- Max Power Dissipation
- 2.75W
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 220mV
- Yayın Yılı
- 2006
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Sayısı
- 8
- Power Dissipation
- 2.75W
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 220mV @ 50mA, 4A
- Uzunluk
- 6.7mm
- Parça Durumu
- Active
- Transition Frequency
- 180MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 10nA
- Kılıf / Paket
- 8-SMD, Gull Wing
- Voltage Rated Dc
- 25V
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Akım Değeri
- 5A
- Yükseklik
- 1.6mm
- Pin Sayısı
- 8
- Continuous Collector Current
- 5A
- Genişlik
- 3.7mm
- Collector Base Voltage Vcbo
- 80V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 25V
- Transistor Application
- SWITCHING
- Element Configuration
- Dual
- Gain Bandwidth Product
- 180MHz
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- ZDT1049
- Transistor Element Material
- SILICON
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Max Breakdown Voltage
- 25V
- ECCN Kodu
- EAR99
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

